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型号 SI4100DY-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
SI4100DY-T1-GE3 PDF
代理商 SI4100DY-T1-GE3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 63 毫欧 @ 4.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 600pF @ 50V
功率 - 最大 6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SO
包装 剪切带 (CT)
其它名称 SI4100DY-T1-GE3CT
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